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太赫茲晶體

簡(jiǎn)要描述：磷化鎵晶體GaP太赫茲晶體
GaP磷化鎵是一種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。外觀(guān)：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導(dǎo)體材料。（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時(shí)域光譜儀中作為探測(cè)晶體，其橫光學(xué)支聲子線(xiàn)在11THz。通常可探測(cè)的頻譜寬度在0.1-6.5THz。

  • 產(chǎn)品型號(hào)：GaP
  • 更新時(shí)間：2024-08-06
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：1118

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

品牌其他品牌產(chǎn)地類(lèi)別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域電子

詳細(xì)介紹

GaP太赫茲晶體產(chǎn)品簡(jiǎn)介

      磷化鎵晶體是一種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。外觀(guān)：橙紅色透明晶體。磷化鎵晶體是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導(dǎo)體材料。磷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，晶格常數(shù)5.447±0.06埃，化學(xué)鍵是以共價(jià)鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20%，300K時(shí)能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導(dǎo)體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體(如GaAS、 InP)相同，可通過(guò)引入深中心使費(fèi)米能級(jí)接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質(zhì)元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。

     <110>晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時(shí)域光譜儀中作為探測(cè)晶體，其橫光學(xué)支聲子線(xiàn)在11THz。通?？商綔y(cè)的頻譜寬度在0.1-6.5THz。


磷化鎵晶體實(shí)物圖

中文名：磷化鎵晶體

外文名：Gallium phosphide

分子式：GaP晶體

分子量：100.6968




實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖為40fs鈦藍(lán)寶石激光泵浦寬譜光電導(dǎo)天線(xiàn)，400um厚GaP晶體探測(cè)的結(jié)果

GaP太赫茲晶體產(chǎn)品參數(shù)

型號(hào)晶向尺寸(mm)厚度（mm）
GaP-110-10-2<110>10*102
GaP-110-10-1
<110>
10*10
1
GaP-110-10-0.5
<110>
10*10
0.5
GaP-110-10-0.4
<110>
10*10
0.4
GaP-110-10-0.3
<110>
10*10
0.3
GaP-110-10-0.2
<110>
10*10
0.2
GaP-110-10-0.1
<110>
10*10
0.1
GaP-110-10-0.05
<110>
10*10
0.05
GaP-110-10-10-0.1-3
晶向100um厚度的GaP晶體光學(xué)粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底
GaP-110-10-10-0.2-3
<span background-color:#ffffff;"="" style="color: rgb(51, 51, 51)"><110>晶向200um厚度的GaP晶體光學(xué)粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底
GaP-110-10-10-0.3-3
<110>晶向300um厚度的GaP晶體光學(xué)粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底

(a)其他規(guī)格要求的GaP晶體可以定制

(b)晶體默認(rèn)帶有外徑25.4mm的安裝架

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